型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: 2.6A,52V,,N沟道保护MOSFET10405-24¥4.603525-49¥4.262550-99¥4.0238100-499¥3.9215500-2499¥3.85332500-4999¥3.76815000-9999¥3.7340≥10000¥3.6828
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品类: MOS管描述: 受保护的功率MOSFET Protected Power MOSFET773220-49¥0.094550-99¥0.0875100-299¥0.0840300-499¥0.0812500-999¥0.07911000-4999¥0.07775000-9999¥0.0763≥10000¥0.0749
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品类: MOS管描述: 自我保护FET的温度和电流限制 Self−protected FET with Temperature and Current Limit70135-24¥1.714525-49¥1.587550-99¥1.4986100-499¥1.4605500-2499¥1.43512500-4999¥1.40345000-9999¥1.3907≥10000¥1.3716
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品类: MOS管描述: 1.73W,42V,,N沟道保护MOSFET958910-99¥6.9720100-499¥6.6234500-999¥6.39101000-1999¥6.37942000-4999¥6.33295000-7499¥6.27487500-9999¥6.2283≥10000¥6.2051
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品类: MOS管描述: 受保护的功率MOSFET Protected Power MOSFET25555-24¥4.023025-49¥3.725050-99¥3.5164100-499¥3.4270500-2499¥3.36742500-4999¥3.29295000-9999¥3.2631≥10000¥3.2184
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品类: MOS管描述: 400V,0.4A,5.5Ohm,N沟道功率MOSFET89085-24¥2.025025-49¥1.875050-99¥1.7700100-499¥1.7250500-2499¥1.69502500-4999¥1.65755000-9999¥1.6425≥10000¥1.6200
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品类: MOS管描述: P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。907410-99¥6.2160100-499¥5.9052500-999¥5.69801000-1999¥5.68762000-4999¥5.64625000-7499¥5.59447500-9999¥5.5530≥10000¥5.5322
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT3055, 4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装24885-24¥2.848525-49¥2.637550-99¥2.4898100-499¥2.4265500-2499¥2.38432500-4999¥2.33165000-9999¥2.3105≥10000¥2.2788
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT014, 2.7 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装48595-24¥4.239025-49¥3.925050-99¥3.7052100-499¥3.6110500-2499¥3.54822500-4999¥3.46975000-9999¥3.4383≥10000¥3.3912
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品类: MOS管描述: SOT-223 N-CH 400V 0.5A88465-24¥2.875525-49¥2.662550-99¥2.5134100-499¥2.4495500-2499¥2.40692500-4999¥2.35375000-9999¥2.3324≥10000¥2.3004
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT3055 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 3 V662110-99¥8.7120100-499¥8.2764500-999¥7.98601000-1999¥7.97152000-4999¥7.91345000-7499¥7.84087500-9999¥7.7827≥10000¥7.7537
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT451AN, 7.2 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装26745-24¥4.981525-49¥4.612550-99¥4.3542100-499¥4.2435500-2499¥4.16972500-4999¥4.07755000-9999¥4.0406≥10000¥3.9852
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品类: MOS管描述: 42V,2A,N沟道MOSFET50271-9¥68.540010-99¥65.5600100-249¥65.0236250-499¥64.6064500-999¥63.95081000-2499¥63.65282500-4999¥63.2356≥5000¥62.8780
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品类: MOS管描述: N沟道,55V,2.8A,75mΩ@10V902110-99¥8.7120100-499¥8.2764500-999¥7.98601000-1999¥7.97152000-4999¥7.91345000-7499¥7.84087500-9999¥7.7827≥10000¥7.7537
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品类: MOS管描述: BSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号 晶体管-PG-SOT-22350775-24¥4.063525-49¥3.762550-99¥3.5518100-499¥3.4615500-2499¥3.40132500-4999¥3.32615000-9999¥3.2960≥10000¥3.2508
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 0.048 ohm, 10 V, 3 V69185-24¥2.146525-49¥1.987550-99¥1.8762100-499¥1.8285500-2499¥1.79672500-4999¥1.75705000-9999¥1.7411≥10000¥1.7172
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品类: MOS管描述: 场效应管, MOSFET83135-24¥4.198525-49¥3.887550-99¥3.6698100-499¥3.5765500-2499¥3.51432500-4999¥3.43665000-9999¥3.4055≥10000¥3.3588
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R48945-24¥4.090525-49¥3.787550-99¥3.5754100-499¥3.4845500-2499¥3.42392500-4999¥3.34825000-9999¥3.3179≥10000¥3.2724
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。98725-24¥2.808025-49¥2.600050-99¥2.4544100-499¥2.3920500-2499¥2.35042500-4999¥2.29845000-9999¥2.2776≥10000¥2.2464
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品类: MOS管描述: ON SEMICONDUCTOR NTF3055-100T1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 3 V57915-24¥2.902525-49¥2.687550-99¥2.5370100-499¥2.4725500-2499¥2.42952500-4999¥2.37585000-9999¥2.3543≥10000¥2.3220
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R661310-99¥8.7480100-499¥8.3106500-999¥8.01901000-1999¥8.00442000-4999¥7.94615000-7499¥7.87327500-9999¥7.8149≥10000¥7.7857
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品类: MOS管描述: IRFL024ZTRPBF 编带95955-24¥1.701025-49¥1.575050-99¥1.4868100-499¥1.4490500-2499¥1.42382500-4999¥1.39235000-9999¥1.3797≥10000¥1.3608
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。40505-24¥2.281525-49¥2.112550-99¥1.9942100-499¥1.9435500-2499¥1.90972500-4999¥1.86755000-9999¥1.8506≥10000¥1.8252
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品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRFL014NTRPBF 场效应管, MOSFET55415-24¥1.849525-49¥1.712550-99¥1.6166100-499¥1.5755500-2499¥1.54812500-4999¥1.51395000-9999¥1.5002≥10000¥1.4796
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品类: MOS管描述: P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics26145-24¥2.862025-49¥2.650050-99¥2.5016100-499¥2.4380500-2499¥2.39562500-4999¥2.34265000-9999¥2.3214≥10000¥2.2896
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT3N40TF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 400 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V30615-24¥2.200525-49¥2.037550-99¥1.9234100-499¥1.8745500-2499¥1.84192500-4999¥1.80125000-9999¥1.7849≥10000¥1.7604
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDT452AP, 5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装24765-24¥3.982525-49¥3.687550-99¥3.4810100-499¥3.3925500-2499¥3.33352500-4999¥3.25985000-9999¥3.2303≥10000¥3.1860
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT86244 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 150 V, 0.106 ohm, 10 V, 3.1 V93175-24¥2.268025-49¥2.100050-99¥1.9824100-499¥1.9320500-2499¥1.89842500-4999¥1.85645000-9999¥1.8396≥10000¥1.8144
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品类: MOS管描述: Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET **Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能38355-24¥2.146525-49¥1.987550-99¥1.8762100-499¥1.8285500-2499¥1.79672500-4999¥1.75705000-9999¥1.7411≥10000¥1.7172